Z punktu widzenia biochemicznego jest bardzo ciekawym obiektem badania, ponieważ ma unikalne właściwości.
Wszyscy niby wiemy, jak woda jest niezbędna, tylko czy pamiętamy o tym w naszym codziennym życiu? W naszym kraju jest deficyt wody.
Z powodu osuszania bagien, wycinania drzew, nic jej nie kumuluje.Wynalezienie diody Do produkcji weszła w latach sześćdziesiątych w formie opracowanej przez amerykańskiego inżyniera Nicka Holonyaka juniora, który jest uważany za jej wynalazcę. Możliwe jest, że została wynaleziona już wcześniej, w latach 20.
XX wieku.
Zjawisko to zachodzi w półprzewodnikach wówczas, gdy elektrony przechodząc z wyższego poziomu energetycznego na niższy zachowują swój pseudopęd.
Jest to tzw.przejście proste.
Najefektywniejsza elektroluminescencja w półprzewodniku powstaje w wyniku rekombinacji swobodnych nośników ładunku w złączu p-n, gdy jest ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia.
Intensywność świecenia zależy od wartości doprowadzonego prądu, przy czym zależność ta jest liniowa w dużym zakresie zmian prądu.
Zjawiska przeszkadzające elektroluminescencji to pochłanianie wewnętrzne i całkowite odbicie wewnętrzne. Długość fali generowanego promieniowania: przy czym: Wg = Wc ? Wv ? szerokość pasma zabronionego lub różnica energii poziomów, między którymi zachodzi rekombinacja, h ? stała Plancka, c ? prędkość światła. Miarą strat na odbicie wewnętrzne i pochłanianie jest stosunek zewnętrznej do wewnętrznej sprawności kwantowej nqz/nnw. O ile wewnętrzna sprawność kwantowa nqw jest zależna od technologii procesu wytwarzania złącza oraz właściwości zastosowanego półprzewodnika, o tyle na zewnętrzną sprawność kwantową ma także wpływ kształt diody. Na rysunku a) przekrój diody elektroluminescencyjnej płaskiej, a na rysunku b) półsferycznej. Kąt krytyczny, przy którym występuje pełne odbicie wewnętrzne przy czym n* jest współczynnikiem załamania. Pochłanianie wewnętrzne może być wyrażane za pomocą funkcji exp, gdzie a(l) jest współczynnikiem absorpcji dla danej długości fali, x zaś określa odległość od miejsca rekombinacji promienistej do powierzchni emitującej promieniowanie diody na zewnątrz. Całkowitą sprawność zamiany energii elektrycznej na energię promienistą w przypadku omawianej diody płaskiej określa zależność: przy czym: P ? moc wejściowa elektryczna; 4n*/(n*+1)? ? współczynnik transmisji (przepuszczalności) promieniowania z wnętrza półprzewodnika do powietrza; f(l) ? strumień fotonów; R ? współczynnik odbicia od kontaktu tylnego; ?n, ?p ? współczynnik absorpcji w obszarze n lub p diody; xn , xp ? grubość obszaru n lub p diody. Złącza p-n diod elektroluminescencyjnych z GaAs wykonuje się zazwyczaj techniką dyfuzyjną, co zapewnia im wysoką sprawność kwantową. Promieniowanie diod elektroluminescencyjnych z GaAs można uczynić widzialnym za pomocą przetworników podczerwieni, na przykład przez pokrycie powierzchni diody odpowiednim luminoforem.Promieniowanie widzialne emitują diody elektroluminescencyjne z półprzewodników trójskładnikowych GaAsP, w których tak samo jak w GaAs są spełnione warunki dla prostych przejść rekombinacyjnych.
Diody z GaAsP emitują światło czerwone o długości fali l = 650 nm. Długość fali emitowanego promieniowania zwiększa się ze wzrostem temperatury złącza.Istnieje parę sposobów na oszczędzanie wody, które wcale nie oznaczają wielkich wyrzeczeń.
Jednym z najprostszych jest zamontowanie perlatorów na bateriach, które zachowują duże ciśnienie, jednak wody leci mniej.